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NP88N03KDG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
5
4.5
4
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
3.5
3
2.5
2
1.5
1
V GS = 4.5 V
10 V
I D = 44 A
10000
1000
C iss
C oss
C rss
0.5
0
Pulsed
100
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
10000
30
12
V DD = 15 V
V GS = 10 V
R G = 0 ?
25
V DD = 24 V
15 V
I D = 88 A
10
1000
100
t r
t d(off)
20
15
10
V DD = 6 V
I D = 65 A
V GS
8
6
4
t d(on)
t f
5
V DS
2
10
0
0
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1000
I D - Drain Current – A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V GS = 10 V
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
100
10
1
4.5 V
0V
0.1
0.01
Pulsed
10
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D17404EJ3V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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